Narodowe Centrum Badań i Rozwoju

Szukaj

 

Small Grant Scheme; poziom: doktorat; dziedzina badań: elektronika; ID: 210052

drukuj
A A A

 

Tytuł projektu: Study of the mechanism of initial growth of the 3C-SiC carbonization layer on the silicon substrate by Chemical Vapor Deposition (CVD)  

 

Akronim: CUBSIC

 

Promotor projektu: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

 

Wartość projektu (PLN): 389 506

 

Kwota dofinansowania (PLN): 389 506

Czas realizacji: 36 miesięcy

 

 

Adres strony: http://sp.itme.edu.pl/CUBSIC/index.html

 

 

Opis projektu:

Główny cel projektu stanowi optymalizacja warunków wzrostu warstwy nawęglonej 3C-SiC osadzanej na różnych podłożach Si. W efekcie zostaną otrzymane warstwy epitaksjalne o zrelaksowanej strukturze krystalicznej, co jest istotne w punktu widzenia zaawansowanych przyrządów elektronicznych powszechnie stosownych w życiu codziennym. Ponadto projekt stworzy warunki dla rozwoju technolgii wytwarzania elektroniki nowej generacji całkowicie kompatybilnej z obecnie stosowaną technologią krzemową. Celem projektu jest zrozumienie oraz opracowanie technologii wzrostu warstwy buforowej 3C-SiC na podłożu krzemowym. Zostanie zbadana zależność pomiędzy warunkami wzrostu warstwy epitaksjalnej, jak również wpływem stosowania różnych podłoży krzemowych, a jakością krystalograficzną uzyskanej warstwy.  Zoptymalizowanie jakości krystalograficznej kubicznej odmiany SiC może prowadzić do masowej produkcji tranzystorów o wiele szybszych niż obecnie stosowane tranzystory na bazie krzemu. Ze względu na olbrzymi potencjał badanego materiału, możliwości jego zastosowania w nauce, jak i w przemyśle mogą prowadzić do rozwoju przemysłu elektronicznego opartego na 3C-SiC osadzanego na krzemie.

 

Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
ul. Nowogrodzka 47a  00-695, Warszawa  tel: +48 22 39 07 401  fax: +48 22 20 13 408
REGON: 141032404  NIP: 701-007-37-77

Narodowe Centrum Badań i Rozwoju 2011. Wszelkie prawa zastrzeżone.
realizacja: Ideo powered by CMS Edito